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考试科目名称：半导体物理

科目代码：846

一、物理基础

1．晶体中原子的结合。

2．晶体结构与对称性。

3．常见晶体结构。

4．晶格振动与声子。

5．光学声子与声学声子。

二、半导体材料的能带结构

1．能带的形成。

2．导带、价带、禁带及禁带宽度。

3．材料的导电性能与能带结构的关系。

4．直接带隙与间接带隙。

5．导带电子与价带空穴，载流子。

6．电子与空穴的有效质量。

7．施主与受主，类氢原子近似。

8．P型、N型和本征半导体材料的特点。

9．杂质对半导体导电性能的影响。

三、半导体材料的电学性能

1．外场下半导体材料中载流子的运动形式。

2．半导体材料的迁移率与电导率。

3．半导体材料的电学性能随温度的变化。

4．半导体材料的电学性能随杂质浓度的变化。

5．半导体材料的光电导与非平衡载流子。

6．半导体材料的霍尔效应。

7．半导体材料的热电现象。

四、半导体器件

1.PN结的结构与电学性能，I-V曲线。

2.MOS器件的结构、工作原理及电学性能特点。

3.双极型三极管的结构、工作原理及电学性能特点

4.发光二极管的工作原理。

5.太阳能电池的工作原理。

6.半导体温度传感器的工作原理。

五、半导体材料分析测试技术

1.半导体材料禁带宽度的测量方法。

2.半导体材料中杂质电离能的测量。

3.半导体材料载流子浓度的测量方法。

4.半导体材料电阻率的测量。

5.半导体材料中载流子迁移率的测量方法。

6.半导体材料中少数载流子寿命的测量方法。

参考书目：《半导体物理》(第1版)，季振国编，浙江大学出版社，2005.9

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